期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.003

用于光刻的EUV光源

引用
对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较.给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难.基于目前的测量结果,指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源.

光刻、极紫外光源、放电等离子、激光等离子体、ECR等离子体

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TN3(半导体技术)

中国科学院项目(非规范项目);国家自然科学基金;中国科学院所长基金

2007-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

12-16

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

32

2007,32(1)

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