AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展

摘要：

从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等.回顾了近年来这些方法的研究进展.

关键词：欧姆接触、铝镓氮/氮化镓、高电子迁移率晶体管

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金;应用基础研究项目;国家重点基础研究发展计划（973计划）

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-11