期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.001

MOSFET器件回顾与展望(下)

引用
介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展, 比较了几种主要新颖半导体器件的特性,指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法,展望了器件未来发展趋势.

金属氧化物半导体场效应管、微电子学、鳍状

32

TN3(半导体技术)

上海市市级技术研发中心浦东新区科技局匹配资助项目PKK2005-03

2007-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1-5,25

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

32

2007,32(1)

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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

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