10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.001
MOSFET器件回顾与展望(下)
介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展, 比较了几种主要新颖半导体器件的特性,指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法,展望了器件未来发展趋势.
金属氧化物半导体场效应管、微电子学、鳍状
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TN3(半导体技术)
上海市市级技术研发中心浦东新区科技局匹配资助项目PKK2005-03
2007-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1-5,25