10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.017
半绝缘GaAs光电导开关散射机制的比较
从量子力学的微扰理论入手,总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态,给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析.
散射机制、蒙特卡罗方法、散射率
31
TN3(半导体技术)
国家自然科学基金10376025/A06
2006-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
944-947
10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.017
散射机制、蒙特卡罗方法、散射率
31
TN3(半导体技术)
国家自然科学基金10376025/A06
2006-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
944-947
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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