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10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.017

半绝缘GaAs光电导开关散射机制的比较

引用
从量子力学的微扰理论入手,总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态,给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析.

散射机制、蒙特卡罗方法、散射率

31

TN3(半导体技术)

国家自然科学基金10376025/A06

2006-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

944-947

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

31

2006,31(12)

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