用于SRAM的低功耗位线结构

摘要：

提出了一种用于SRAM的低功耗位线结构,通过两种途径来实现低位线电压.在写操作时,利用单边驱动结构来抑制位线上充电电压的过大摆动;在读写操作时,改进预充结构来使位线电压保持较低.仿真表明,该结构使功耗大大节省.

关键词：静态存储器、位线、低功耗

所属期刊栏目：31

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国防重点实验室基金51433020105DZ6802

在线出版日期：2006-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：935-937,950