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10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.004

用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术

引用
分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果.这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺.

压力传感器、键合、金硅共晶、微电子机械系统

31

TN3(半导体技术)

2006-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

896-899

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2006,31(12)

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