10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.004
用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术
分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果.这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺.
压力传感器、键合、金硅共晶、微电子机械系统
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TN3(半导体技术)
2006-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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896-899