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10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.001

半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术

引用
综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用.

锗硅、薄膜材料、固相结晶、固相反应、集成电路

31

TN3(半导体技术)

天津市高等学校科技发展基金JW20051201

2006-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

881-886,891

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

31

2006,31(12)

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