高压LDMOS场极板的分析与设计

摘要：

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.

关键词：横向扩散金属氧化物半导体、单阶梯场板、双阶梯场板、击穿电压

所属期刊栏目：31

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;安徽省自然科学基金

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：782-786