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10.3969/j.issn.1003-353X.2006.10.016

用于高温压力传感器的AlN绝缘膜的研究

引用
采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜.用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性,分析了AlN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系.选用AlN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,得到了极好的压力传感器特性,即零点电漂移及热漂移小及非线性小.

氮化铝薄膜、高温压力传感器、直流磁控反应溅射

31

TN3(半导体技术)

2006-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2006,31(10)

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