GaAs混频二极管的设计和制作

摘要：

GaAs混频二极管是制作混频器的关键器件,从GaAs混频二极管的工作原理出发简述了其参数设计和典型制作工艺.介绍了GaAs混频二极管的主要性能:击穿电压VBR≥4 V,零偏压结电容0.1～0.15 pF,串联电阻Rs≤3Ω,整机噪声系数NF≤5.3 dB.并给出了在8～18 GHz混频器中的使用结果.

关键词：砷化镓、混频二极管、噪声系数

所属期刊栏目：31

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：774-777