高压LDMOS功耗的分析

摘要：

利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟.采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值,并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况,给出了高压LDMOS主要的功耗区及其变化情况.

关键词：横向双扩散金属氧化物半导体、功耗、数值模拟

所属期刊栏目：31

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60576066

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：770-773,786