先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响

摘要：

器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变.亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面.综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响.

关键词：辐射效应、总剂量、金属-氧化物-半导体场效应晶体管

所属期刊栏目：31

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点实验室基金

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：738-742,746