钽抛光及抛光机理的探究

摘要：

为拓宽CMP技术应用领域,研究了中国工程物理研究院机械制造工艺研究所提供的钽片的抛光,打破过去以机械加工为主的加工手段,采用提高化学作用的方法,加入螯合剂、有机碱、活性剂等助剂,对钽进行抛光.结果发现,钽表面的粗糙度较小,表面状态良好,说明增强化学作用可以提高抛钽效果.对钽的CMP机理做了分析与推测,为钽CMP进一步研究奠定了基础.

关键词：钽、化学机械抛光、抛光机理

所属期刊栏目：31

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：天津市科技攻关计划043801211

在线出版日期：2006-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：361-362,366