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10.3969/j.issn.1003-353X.2006.05.010

一种面向SOC的衬底噪声宏模型

引用
针对SOC中常见的衬底噪声耦合问题,通过将器件模拟与拟合法相结合,基于0.25 μ m CMOS工艺提取衬底结构参数建立了电阻宏模型.该模型被应用于CMOS放大器电路,利用Hspice进行仿真,仿真结果表明,该模型从时、频域角度都能较好地表征出衬底噪声对模拟电路性能的影响,对深亚微米混合信号电路设计具有重要的指导意义.

衬底噪声、系统集成芯片、宏模型

31

TN4(微电子学、集成电路(IC))

2006-06-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

353-356,360

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

31

2006,31(5)

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