ECR-PECVD方法低温制备多晶硅薄膜

摘要：

采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法.当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜.沉积前,H2等离子体的清洗时间和流量对多晶薄膜的质量有较大的影响.通过与其他反应气体相比较,我们制备的多晶硅薄膜不含杂质.

关键词：多晶硅薄膜、化学汽相淀积、低温

所属期刊栏目：31

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2006-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：342-345