集成电路多层铜布线阻挡层CMP技术与材料

摘要：

以化学机械全局平面化(CMP)动力学过程和机理为基础,在抛光浆料中采用粒径为15～20nm的硅溶胶作为CMP磨料,保证了高的抛光速率(200nm/min),同时可有效降低表面粗糙度,减少损伤层的厚度.

关键词：超大规模集成电路、阻挡层、钽、化学机械抛光、抛光浆料

所属期刊栏目：31

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：中国科学院项目（非规范项目）;河北省自然科学基金

在线出版日期：2006-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：334-336,345