集成电路铜互连线脉冲电镀研究

摘要：

针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响.实验结果表明,2～4 A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸.

关键词：铜互连、脉冲电镀、电阻率、X射线衍射

所属期刊栏目：31

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：中国科学院项目（非规范项目）60176013;0304

在线出版日期：2006-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：329-333