多孔硅的有效场致发射

摘要：

基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜.该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述.采用大约3.5V/μm的低通场在电流强度为0.1 μA/cm2处获得有效场致发射.在约12.5V/μm的叠加场下,PS薄膜的发射电流密度达到1mA/cm2.实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能.

关键词：多孔硅、电子场发射、多孔硅薄膜

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.1(半导体技术)

资助基金：中国科学院项目（非规范项目）;教育部科学技术研究项目

在线出版日期：2006-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：300-302,309