高隔离度宽频带MEMS双膜桥开关

摘要：

利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联,形成MEMS双膜开关.通过对其尺寸和结构的优化,降低开关阈值电压,Coventor软件模拟表明,开关的阈值电压小于20V;通过对其匹配设计改善开关的高频性能,HFSS软件模拟的结果表明,在DC～20GHz整个频带内,开关的插入损耗优于-0.1dB,反射损耗低于-30dB,隔离度低于-20dB,在 谐振点处隔离度能达到-40dB.

关键词：MEMS、双膜桥、阈值电压、插入损耗、反射损耗、隔离度

所属期刊栏目：31

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2006-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：290-294