纳米CeO2磨料对GaAs晶片的CMP性能研究

摘要：

通过均相沉淀法制备了不同粒径的CeO2超细粉体,并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光.研究了不同粒径CeO2磨料对GaAs晶片的抛光效果,并对GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理进行了探讨.结果表明,使用超细CeO2磨料最终在1 μ m×1 μ m的范围内达到了微观表面粗糙度Ra值为0.740nm的超光滑表面,而且抛光后表面的微观起伏更趋于平缓.实验证明,超细CeO2磨料对GaAs晶片具有良好的抛光效果.

关键词：CeO2磨料、GaAs晶片、抛光

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：江苏省自然科学基金;国家高技术研究发展计划（863计划）

在线出版日期：2006-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：253-256,267