CF4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用

摘要：

键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合.再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合.硅片键合强度达到了体硅的强度.实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果.

关键词：微电子机械系统、低温、直接键合、等离子体

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.96(半导体技术)

资助基金：北京市教委共建项目KM200310005009

在线出版日期：2006-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：250-252,263