AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计

摘要：

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器.为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法,最后得到理想的结果为:工作绝对稳定,带宽3.6GHz～8.0GHz,最高增益11.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2%,电压驻波比较小.

关键词：高电子迁移率场效应晶体管、功率放大器、ADS负载牵引、共轭匹配

所属期刊栏目：31

分类号：TN386;TN722.7+5(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）51327020301

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：52-55