AlGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展

摘要：

回顾了在高温条件下A1GaN/GaN HEMT器件特性的研究进展.发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性.最后总结了适合高温下工作的AlGaN/GaN HEMT的改进方法.

关键词：AlGaN/GaN、高电子迁移率晶体管、高温特性、二维电子气

所属期刊栏目：31

分类号：TN385(半导体技术)

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：48-51