TiSi2在微波低噪声SiGe HBT中的应用

摘要：

通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低.以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大.

关键词：锗硅异质结双极晶体管、二硅化钛、微波、低噪声

所属期刊栏目：31

分类号：TN322+.6(半导体技术)

资助基金：高比容电子铝箔的研究开发与应用项目2002AA1Z1610

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：40-43