IC制备中钨插塞CMP技术的研究

摘要：

对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化(CMP)的原理及工艺进行了分析,对钨抛光浆料的组成成分进行了研究,开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料,并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望.

关键词：钨、化学机械全局平面化、抛光浆料、碱性

所属期刊栏目：31

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：河北省自然科学基金599041

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-28,22