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10.3969/j.issn.1003-353X.2005.09.018

蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究

引用
研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据.

蓝宝石、发光二极管、背减薄、研磨、抛光

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TN305.2(半导体技术)

国家高技术研究发展计划(863计划);北京市教委科研项目;国家重点基础研究发展计划(973计划);北京市教委科研项目;教学改革项目;北京市科委科研项目

2005-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2005,30(9)

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