制备纳米级ULSI的极紫外光刻技术

摘要：

在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级ULSI器件的首选光刻方案之一.本文论述了EUVL技术的原理、加工工艺和设备,并对比分析了EUVL的生产成本、应用前景及其优缺点.

关键词：超大规模集成电路、纳米半导体器件制备技术、极紫外光刻

所属期刊栏目：30

分类号：TN305.7;TN405.98(半导体技术)

资助基金：江苏省高等学校自然科学研究项目02KJB510005

在线出版日期：2005-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：28-33