一种新型超净高纯试剂在半导体技术中的应用

摘要：

通过对新型超净高纯试剂同常规CMOS酸碱试剂同时进行CMOS工艺中栅氧化前的清洗实验,从清洗后硅片残留金属量的电感耦合高频等离子体原子发射光谱分析、硅片表面形貌的AFM分析和MOS电容测量三个方面进行了应用实验.结果表明,以超净高纯乙腈为主要组分的新型试剂,其清洗效果总体优于常规CMOS酸碱试剂,可以考虑在半导体器件相应清洗工艺中采用.

关键词：高纯试剂、半导体、清洗工艺

所属期刊栏目：30

分类号：TQ421.2+3

资助基金：中国石化项目201074

在线出版日期：2005-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23