深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术

摘要：

综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点.

关键词：超大规模集成电路、纳米CMOS器件、离子束蚀刻、考夫曼离子源、电子回旋共振、电感耦合等离子体蚀刻器

所属期刊栏目：30

分类号：TN305.7;TN405.98;TN47(半导体技术)

资助基金：江苏省高等学校自然科学研究项目02KJB510005

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：35-40