10.3969/j.issn.1003-353X.2004.11.014
应用晶片键合技术制作激光器
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法.
晶片键合技术、脊波导、激光器
29
TN248.4(光电子技术、激光技术)
2004-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
45-48
10.3969/j.issn.1003-353X.2004.11.014
晶片键合技术、脊波导、激光器
29
TN248.4(光电子技术、激光技术)
2004-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
45-48
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn