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10.3969/j.issn.1003-353X.2004.11.014

应用晶片键合技术制作激光器

引用
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法.

晶片键合技术、脊波导、激光器

29

TN248.4(光电子技术、激光技术)

2004-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1003-353X

13-1109/TN

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2004,29(11)

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