钴镍与多晶锗硅的固相反应和肖特基接触特性

摘要：

采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜.用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应.利用室温I-V法研究了钴镍与多晶锗硅的接触特性,发现能形成比较理想的肖特基接触.拟合I-V曲线得到接触参数,两样品的表观势垒高度都在0.56～0.59ev之间.实验结果表明,300～600℃退火对肖特基势垒高度没有显著影响.

关键词：离子束溅射、多晶锗硅、热扩散、固相反应、肖特基接触特性

所属期刊栏目：29

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海市应用材料研究与发展基金

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：36-40