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10.3969/j.issn.1003-353X.2004.11.008

微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较

引用
在MEMS微加工和实验过程过程中,出于制造成本、光刻胶性能的考虑,需要选用合适的光刻胶.本文介绍了常用的正性胶和负性胶以及其曝光、显影的过程,正性胶和负性胶曝光过程漫射的图形缺陷.比较了正性胶和负性胶的各种性能以及各种光刻方式下选用的正负性胶及它们的光刻灵敏度,为微加工过程和实验操作提供指导.

MEMS、微制造、光刻胶、工艺

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TN305.7(半导体技术)

2004-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2004,29(11)

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