n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制

摘要：

通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响.采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性.

关键词：硅单晶、电阻率、均匀性、磁场强度

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：74-76