纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术

摘要：

综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景.

关键词：超大规模集成电路、特大规模集成电路、离子束掺杂技术、CMOS器件、纳米电子技术

所属期刊栏目：29

分类号：TN305;TN47(半导体技术)

资助基金：江苏省高等学校自然科学研究项目02KJB510005

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：30-34,44