一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计

摘要：

对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6 μ m标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器.在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 dB的功率增益,-3dB带宽为1 50MHz,S11达到-38dB,消耗的电流为5mA.

关键词：低噪声放大器、噪声优化、射频集成电路、CMOS

所属期刊栏目：29

分类号：TN722.3(基本电子电路)

在线出版日期：2004-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：63-67