PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究

摘要：

采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性.证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型.观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用.发现到界面陷阱密度随雪崩热电子注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得较下半部显著.指出了雪崩注入过程中在SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置与密度大小关系.揭示出PECVD法形成的SiOxNy纳米膜与快速热氮化制备的这种薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化关系不一样,并从形成薄膜氮化机制上予以合理的物理解析.给出了PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件.

关键词：界面陷阱、雪崩、热电子注入、等离子体增强化学汽相淀积、薄膜

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.55(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金950186

在线出版日期：2004-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：51-55