用O.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM

摘要：

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8μm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点.实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(BiDolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中.

关键词：双极互补金属氧化物半导体器件、静态随机存取存储器、存储单元:输入/输出电路、地址译码器

所属期刊栏目：28

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江苏省高等学校自然科学研究项目02KJB510005

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-48