用0.35μm CMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL

摘要：

论述了一种利用0.35μm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL).该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步.本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电路结构,最后给出相关仿真结果.

关键词：延迟锁定环、存储接口、压控延迟线

所属期刊栏目：28

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：72-75