期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2003.04.021

SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响

引用
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法.

半绝缘多晶硅:掺氧多晶硅、晶体管

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TN305(半导体技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2003,28(4)

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