10.3969/j.issn.1003-353X.2003.04.021
SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法.
半绝缘多晶硅:掺氧多晶硅、晶体管
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TN305(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
37-39
10.3969/j.issn.1003-353X.2003.04.021
半绝缘多晶硅:掺氧多晶硅、晶体管
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TN305(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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