多晶硅/氧化硅界面的二次离子质谱分析

摘要：

利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机理,并利用"氧化层电导"模型,定量分析过渡区对器件栅氧化层电导的影响.

关键词：多晶硅/氧化硅界面、二次离子质谱、过渡区、栅氧化层电导

所属期刊栏目：27

分类号：TN386.4(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：64-67,72