10.3969/j.issn.1003-353X.2002.09.004
新型GaInNAs系低功耗HBT研究进展
介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管(HBT)的设计思想和最新研究进展,并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方面的应用前景.
GaInNA s:低功耗、异质结双极晶体管
27
TN322+.7;TN303(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
4-8
10.3969/j.issn.1003-353X.2002.09.004
GaInNA s:低功耗、异质结双极晶体管
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TN322+.7;TN303(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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