10.3969/j.issn.1003-353X.2001.12.023
a-SiC/c-Si异质结太阳能电池中a-SiC:H薄膜的设计分析
通过应用Scharfetter-Gumme1解法数值求解Poisson方程,对热平衡p+(a-SiC:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析.给出了p+(a-SiC:H)膜厚及其p型掺杂浓度设计,还讨论了p+(a-SiC:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池稳定性.
异质结太阳能电池、Newton-Raphson解法、a-SiC:H隙态密度分布、载流子收集
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TN914.4
国家自然科学基金69876024
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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