期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2001.08.019

ULSl制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究

引用
对ULSI制备中铜布线技术作了系统的介绍。对CMP相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外,还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进行了介绍。

铜、多层互连结构、化学机械抛光、浆料

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TN405.2;TN405.97(微电子学、集成电路(IC))

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

65-69

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

26

2001,26(8)

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