期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2001.05.017

后处理对多孔硅可见光发射的影响

引用
研究了硅单晶表面多孔化后的光致发光现象,特别是多孔化以后的后处理对发射光谱分布及强度的影响,以及在激光束照射下的光谱变化.在实验中,我们既观察到了发光峰的蓝移,也观察到了红移.实验结果可以用硅量子线的模型解释.

量子线、光致发光、多孔硅

26

O433.1:TN304.055(光学)

国家自然科学基金19525410

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

61-64

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

26

2001,26(5)

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