单片Si-FED的结构和设计

摘要：

根据场发射显示器(FED)的工作原理和所要求的电学参数,利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术,设计和试制了显示面积为10.8mm×l0.8mm的研究性器件.版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻.工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案.硅场发射冷阴极阵列(Si-FECA)是FED的核心.

关键词：场发射显示器、干法刻蚀、离子注入

所属期刊栏目：26

分类号：TN873+.95(无线电设备、电信设备)

资助基金：国家自然科学基金69671011

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：50-54