用于ULSI的低K氟化非晶碳膜研究

摘要：

综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜(a-C:F)的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能,为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导.

关键词：a-C、F薄膜、低介电常数、化学汽相淀积

所属期刊栏目：26

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69776026

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：26-30