氮化镓基固态器件的研究进展

摘要：

GaN是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料,具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度.本文着重阐述了宽禁带Ⅲ-V族化合物半导体器件的研究进展.

关键词：氮化硅、发光管、激光管、场效应管、异质结双极晶体管

所属期刊栏目：26

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：20-25