电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫

摘要：

氢化非晶硅（α-Si:H）的结构弛豫是导致α-Si:H性能光诱导衰变的重要原因之一。用0.5MeV、注量1.3×1020e/cm2的电子束辐照，α-Si转化为微晶硅，不稳定的弱Si-Si键因断裂而减少。α-Si光电池的相应试验初步证实，合适的电子辐照可以缓解α-Si的结构弛豫现象。

关键词：电子辐照、非晶硅微晶化、太阳电池

所属期刊栏目：26

分类号：O473.4(半导体物理学)

资助基金：国务院侨务办公室科研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：56-57