fT为15GHz的SiGe/SiHBT

摘要：

介绍了用分子束外延生长的特征频率fT为15GHz的SiGe/Si HBT,还给出了器件的制造方法及测量结果.

关键词：SiGe/Si HBT、特征频率

所属期刊栏目：25

分类号：TN325+.3(半导体技术)

资助基金：北京市自然科学基金;国家高技术研究发展计划（863计划）

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：33-35