硅片表面微粗糙度的研究进展

摘要：

硅表面微粗糙度对于现代微电子工艺是一个非常重要的参数.本文综述了硅片表面微粗糙度的研究进展,讨论了微粗糙度的测量和产生机理,指出硅片表面微粗糙度主要受RCA清洗工艺,尤其是APM清洗的影响,但可以通过降低氨水含量得以抑制;另外,去离子水漂洗、空气中的水汽、硅表面的微观缺陷等都会影响微粗糙度,而这些也有相应的措施.

关键词：抛光硅片、微粗糙度、RCA清洗工艺

所属期刊栏目：25

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金69926025

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：22-24